核心結論:HW-PCM85在導熱性能(8.5W/m-K)、熱阻(0.04°Ccm2/W)等核心指標上完全匹配Honeywell PTM7950,且具備更低相變溫度(45℃)、更強微觀填充能力(BLT 0.02mm),是能真正替代Honeywell PTM7950的材料的首選國產解決方案。
通過關鍵參數對比,HW-PCM85不僅實現性能等效,更在工藝適配性上領先:
核心指標 | HW-PCM85 | Honeywell PTM7950 | 國產優勢 |
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導熱系數 | 8.5 W/m-K | 8.5 W/m-K | 同等頂級導熱性能 |
熱阻 (@無墊片) | 0.04°Ccm2/W | 0.04°Ccm2/W | 界面熱傳導效率完全一致 |
相變溫度 | 45℃ | 未明確標注 | 更快響應芯片溫升(啟動即生效) |
*小BLT(界面厚度) | 0.02mm | 建議≤0.038mm | 微觀縫隙填充能力提升90% |
長期可靠性 | 加速老化無衰減 | 通過TC-B 1000 cycles | 同等工業級可靠性認證 |
技術突破點:HW-PCM85的 0.02mm超薄界面填充能力(PTM7950需≥0.038mm),可顯著降低高功率芯片的結溫(實測AI芯片降溫3-5℃),是國產低熱阻相變導熱片的技術制高點。
價格降低30%以上,交期從國際品牌的6-8周縮短至 ≤2周
支持 按圖定制/模切,減少損耗
特性 | HW-PCM85 | PTM7950 |
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表面粘性 | ? 自帶粘性 | 自帶粘性 |
抗泵出性 | ? 無滲油/無溢出 | 未明確標注 |
定制靈活性 | ? 厚度/形狀全定制 | 僅標準片材 |
提供 48小時樣品送達
失效分析周期縮短至72小時(國際品牌通常需8~10周)
在5G基站(200W GaN器件)、車載IGBT模塊等場景中,HW-PCM85通過:
1000小時雙85測試(85℃/85%RH)
3000次-40~125℃溫度循環
性能衰減率<0.5%,全面達到PTM7950的可靠性標準(HAST 96h + TC-B 1000次)。
應用領域 | 替代成果 | 性能提升 |
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AI訓練芯片 | 英偉達H100 GPU散熱模組 | 結溫降低4.2℃ @ 700W TDP |
新能源車電控 | 800V SiC逆變器模塊 | 熱阻穩定性提升15% |
5G基站 | 64T64R Massive MIMO天線 | 使用壽命延長至10年+ |
替代實施指南:
參數等效確認:在20-40psi壓力、表面粗糙度Ra≤0.5μm條件下,HW-PCM85與PTM7950熱阻差值≤0.001°Ccm2/W
免費替代驗證:提供 三批次樣品對比測試 + 老化前后數據比對報告
立即獲取平替方案:www.pprdlc.org.cn
技術咨詢:johson@huiwell.com
匯為熱管理技術(東莞)有限公司
"讓高端散熱材料國產化不再受制于人"